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深圳京柏微科技有限公司
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WGB065004是一種增強型硅上氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性允許大電流，高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。
WGB065004是一種底側(cè)冷卻晶體管，提供非常低的結(jié)到外殼的熱電阻要求高功率應用程序。這些特性結(jié)合起來可以提供非常高效的電源開關(guān)。
特性
?650V增強型功率晶體管
?底部冷卻，小PDFN5060包裝
?RDS(on) = 450mΩ
?IDS(max) = 4A?超低FOM
?簡單門驅(qū)動要求(0V ~ 6V)
?瞬態(tài)容錯門驅(qū)動器(-20V / +10V)
?高切換頻率(> 1MHz)
?快速可控的升降時間
?反向傳導能力
?零反向恢復損失
?源感(SS)引腳優(yōu)化門驅(qū)動器
?符合RoHS 3(6+4)標準
應用程序：
?電源適配器
?LED照明驅(qū)動器
?電池快速充電
?功率因數(shù)校正
?家電電機驅(qū)動
?無線傳輸
第三代半導體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石等為代表，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有應用前景。
氮化鎵是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為3.4eV，是硅的3倍多。禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。
在幾個關(guān)鍵市場中，GaN都表現(xiàn)出了相當?shù)臐B透力。
1、GaN在5G方面的應用
射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。
與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時帶寬更高，這一點很重要，載波聚合技術(shù)的使用以及準備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。
與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實現(xiàn)更高的功率密度。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件，就可以減小器件電容，從而使得較高帶寬系統(tǒng)的設(shè)計變得更加輕松。射頻電路中的一個關(guān)鍵組成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。
從目前的應用上看，功率放大器主要由砷化鎵功率放大器和互補式金屬氧化物半導體功率放大器（CMOS PA）組成，其中又以GaAs PA為主流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。
