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松木ME2306A/ME2306A-G （替代）AOS AO3400 SOT-23 塑封 MOS管N 溝道 30V (D-S)MOSFET
ME2306A/ME2306A-G一般說明
ME2306A 是 N 通道邏輯增強模式電源場效應晶體管，采用高單元密度，DMOS 溝槽技術。這種高密度工藝是專門為最大限度地減少導通狀態(tài)而量身定制的抵抗性。這些器件特別適用于低壓應用，例如作為手機、筆記本電腦電源管理等電池供電電路，以及所需的低在線功率損耗采用非常小的外形表面貼裝封裝。
ME2306A/ME2306A-G特征
● RDS(ON)≦32mΩ@VGS=10V
● RDS(ON)≦38mΩ@VGS=4.5V
● RDS(ON)≦50mΩ@VGS=2.5V
● 超高密度電池設計，RDS(ON) 極低
● 出色的導通電阻和最大直流電流能力
ME2306A/ME2306A-G應用
● 筆記本電源管理
● 便攜設備
● 電池供電系統(tǒng)
● DC/DC 轉換器
● 負載開關
● DSC
● LCD 顯示逆變器 
松木ME2306A/ME2306A-G （替代）AOS AO3400 SOT-23 塑封 MOS管N 溝道 30V (D-S)MOSFET
AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管
簡要介紹：
AO3400結合了先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝提供極低的RDS(上)，適合作為負載開關或在PWM應用。
Vds 30V
Id（Vgs=10v情況下） 5.8A
Rds(ON) (Vgs=10v情況下)<28mΩ
Rds(ON) (Vgs=4.5v情況下)<33mΩ
Rds(ON) (Vgs=2.5v情況下)<52mΩ
絕對最大額定參數(shù)
Drain-Source Voltage （漏源電壓Vds）30v
Gate-Source Voltage （柵源電壓Vgs）±12v
Continuous Drain Current （漏極電流Id 25℃）5.8A
Continuous Drain Current （漏極電流Id 70℃）4.9A
Power Dissipation （功率損耗 25℃）1.4W
Power Dissipation （功率損耗 70℃）0.9W
Junction and Storage Temperature Range （溫度范圍）-55~150℃
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