場效應管分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

       場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

       絕緣柵場效應管是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。

       絕緣柵型場效應管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管為例）它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

       場效應管的工作方式有兩種：所謂的增強還是耗盡，主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到一定程度后，反型層才出現(xiàn)，（當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的）這個就是增強。相反，如果反型層一開始就存在，隨著電壓強弱，反型層會出現(xiàn)增加或者衰減，（當柵壓為零時有較大漏極電流的）這個就是耗盡。

1、PMOS的值不同。

（1）、增強型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面沒有溝道存在，也就是說，對于NMOS，閾值電壓大于0；PMOS，小于0。

（2）、耗盡型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面已有溝道存在，也就是說，對于NMOS，閾值電壓小于0；PMOS，大于0。

2、原理不同。

最關(guān)鍵的區(qū)別在于耗盡型在G端不加電壓都存在導電溝道，而增強型只有在開啟后，才出現(xiàn)導電溝道。

3、控方法不同。

（1）、耗盡型UGS可以用正、零、負電壓控導通。

（2）、增強型必須使得UGS>UGS(th)才行，一般的增強型NMOS，都是正電壓控的。

mos管的工作原理：

（1）、做電源設計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管，MOS管有很多種類，也有很多作用，做電源或者驅(qū)動的使用，當然就是用它的開關(guān)作用。

（2）、無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的，MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控輸出端漏極的電流。

（3）、MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關(guān)應用中，MOS管的開關(guān)速度應該比三極管快