一.拓?fù)鋱D與型號的關(guān)系:型號開頭兩個字母或數(shù)字決定
  ·2單元的半橋IGBT拓?fù)?以BSM和FF開頭。
  ·4單元的全橋IGBT拓?fù)?以F4開頭。這個目前已經(jīng)停產(chǎn)，大家不要選擇。
  ·6單元的三項全橋IGBT拓?fù)?以FS開頭。
  ·三項整流橋+6單元的三項全橋IGBT拓?fù)?以FP開頭。
  ·專用斬波IGBT模塊:以FD開頭。其實這個完全可以使用FF半橋來替代。只要將另一單元的IGBT處于關(guān)閉狀態(tài)，只使用其反向恢復(fù)二極管即可。
   英飛凌IGBT模塊選型主要是根據(jù)工作電壓，工作電流，封裝形式和開關(guān)頻率來進(jìn)行選擇。
 
  二. 工作電壓對選型的影響
  1.Infineon的IGBT模塊常用的電壓為:600V，1200V，1700V。這個電壓為系統(tǒng)的直流母線工作電壓。普通的交流220V供電，使用600V的IGBT。交流380V供電，使用1200V的IGBT。
  2.Infineon也有大功率的3300V，4500V，6500V的IGBT可供選擇，一般用于機(jī)車牽引和電力系統(tǒng)中。
  3.最近，電動汽車概念也火的一塌糊涂，Infineon推出了650V等級的IGBT，專門用于電動汽車行業(yè)。不過，這些IGBT是汽車級別的，屬于特種模塊，價格偏貴。
 這里跑題一下:一般電子器件的等級分為5個等級:航空航天—軍工—汽車—工業(yè)—民用。一聽名字，就知道他們的價格趨勢。Infineon的IGBT，除了電動汽車用的650V以外，都是工業(yè)等級的。!
 
  三.工作電流和封裝形式對選型的影響
  這2個參數(shù)要同時介紹。因為，不同封裝形式的IGBT，其實主要就是為了照顧IGBT的散熱。IGBT屬于功率器件，散熱不好，就會直接燒掉。當(dāng)然，封裝也涉及到IGBT內(nèi)部的雜散電感之類的問題，這里就先不介紹了。
  1.單管IGBT:TO-247這種形式的封裝。一般電流從5A~75A左右。一個封裝封裝1個IGBT芯片。如IKW(集成了反向二極管)和IGW(沒有反向二極管)。
  2.Easy封裝(俗稱“方盒子”):這類封裝是低成本小功率的封裝形式:工作電流從10A~35A。不過，這類封裝，一個easy封裝一般都封裝了6個IGBT芯片，直接組成3相全橋。
  3.34mm封裝(俗稱“窄條”):由于底板的銅極板只有34mm寬，所以，只能容下50A，75A，100A，150A的工作電流。這類封裝，一般都封裝了2個IGBT新片，組成一個半橋。
  4.62mm封裝(俗稱“寬條”):IGBT底板的銅極板增加到62mm寬度。所以，IGBT工作電流能有150A，200A，300A，400A，450A。一般都封裝了2個IGBT新片，組成一個半橋。
  5.Econo封裝(俗稱“平板型”):分為EconoDUAL，EconoPIM，EconoPACK之類的。此模塊可以用于中功率封裝，比如450A，600A，800A等。
  IHV,IHM,PrimePACK封裝(俗稱“黑模塊”):這類模塊的封裝顏色是黑色的，屬于大功率模塊。一般3300V，4500V，6500V的模塊，都使用這類封裝，由于電壓高了，電流一般在1000A~200A;某些特殊應(yīng)用的1200V模塊，也采用這類封裝，電流最大達(dá)到3600A。IHV,IHM是經(jīng)典封裝形式，經(jīng)歷市場20多年的考驗。PrimePACK是近年新推出的封裝，這個重點在IHV,IHM的基礎(chǔ)上做了散熱和雜散電感的優(yōu)化。
 
  四.開關(guān)頻率對選型的影響
  Infineon有8種IGBT芯片供客戶選擇。IGBT命名方式中，能體現(xiàn)IGBT芯片的年代。Infineon目前共有5代IGBT:第一代和第二代采用老命名方式，一般為BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。第三代IGBT開始，采用新的命名方式。命名的后綴為:T3，E3，P3。第四代IGBT命名的后綴為:T4，S4，E4，P4。第五代IGBT命名后綴為5。大家選擇的時候，盡量選擇最新一代的IGBT，芯片技術(shù)有所改進(jìn)，IGBT的內(nèi)核溫度將有很大的提升。第三代IGBT能耐150度的極限高溫。第四代IGBT能耐175度的極限高溫。第五代據(jù)說能耐200度的極限高溫。補(bǔ)充:是極限高溫，不是正常工作的溫度。
  各代的IGBT芯片都有自己適合工作的開關(guān)頻率，不能亂選型，IGBT頻率與型號的后綴相關(guān)。具體如下:

這里有一個問題:開關(guān)頻率最大的IGBT型號是S4，可以使用到30KHz的開關(guān)頻率。如FF200R12KS4和FF300R12KS4。但是，S4的飽和壓降反而是最大3.20V。理論上開關(guān)的損耗應(yīng)該最大。
  Infineon那邊給出的解釋為:IGBT的“損耗”包括“導(dǎo)通損耗”和“開關(guān)損耗”。飽和壓降只決定“導(dǎo)通損耗”。而“開關(guān)損耗”則由IGBT芯片本身決定。當(dāng)開關(guān)頻率很高時:導(dǎo)通的時間相對于很短，所以，導(dǎo)通損耗只能占一小部分。而絕大部分的損耗則是由“開關(guān)損耗”決定的。而S4芯片，優(yōu)化了“開關(guān)損耗”，使其減少。達(dá)到“損耗”總體減少的目標(biāo)。這個也是為什么低開關(guān)頻率的IGBT芯片，為何飽和壓降小的原因。低開關(guān)頻率，“損耗”就主要由“導(dǎo)通損耗”決定了，所以，需要降低飽和壓降。

   英飛凌IGBT4芯片技術(shù)：
  ?基于溝槽柵+場終止結(jié)構(gòu)，1200V和1700V；
  ?1200V三種類型：小功率T4、中功率E4、大功率P4；
  ?1700V兩種類型：中功率E4、大功率P4；
  ?P4實現(xiàn)軟關(guān)斷特性的明顯提升，關(guān)斷時電壓尖峰小，無振蕩；
  ?T4和E4提高關(guān)斷速度，開關(guān)頻率較高時輸出能力優(yōu)于T3和E3；
  ?配用反向恢復(fù)特性更"軟"的EmCon4續(xù)流二極管；
  ?飽和電壓正溫度系數(shù)，10 μs短路承受時間不變。