碳化硅：第三代半導體突破性材料。SiC是第三代半導體材料，其具備極好的耐壓性、導熱性和耐熱性，是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料

根據Wolfspeed預計，2022年全球碳化硅器件市場規(guī)模達43億美元，2026年碳化硅器件市場規(guī)模有望成長至89億美元。當前SiC功率器件價格較高，是硅基IGBT的3~5倍左右，但憑借優(yōu)異的系統(tǒng)節(jié)能特性，SiC器件開始在新能源汽車、光伏、儲能等領域替代硅基器件。

安森美：all in碳化硅！

未來5-10年碳化硅產能不會過剩

自去年10月安森美收購GTAT以后，其對新的企業(yè)部門進行了投資并擴大了產能，預計今年年底產能增長5倍?！盎贕TAT生產的晶圓襯底，在2022年我們已經有器件產品出貨了。”

安森美總裁兼首席執(zhí)行官CEO透露，“2022-2023年安森美在碳化硅方面的資本支出將會達到總收入的15%-20%，其中75%-80%將用于碳化硅的產能擴張。”

安森美公司收購GTAT剛好一年，SiC收入有望在2022年增加兩倍，并根據長期服務協(xié)議（LTSA）的承諾收入在23年實現10億美元的收入。

對于產能過剩的風險，安森美表示資本支出的增加短期會對公司的毛利造成一些壓力，但安森美相信未來市場足夠大，足以支持投資和產能的擴張。

“未來5-10年，我們認為碳化硅的市場還是會比較緊缺，不會出現產能過剩的情況?！?span style="margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; overflow-wrap: break-word !important;">安森美CEO說道。

“2022年碳化硅業(yè)務的營收是2021年的3倍，證明了安森美在這方面有生產和產能擴張的能力，我們會繼續(xù)擴充產能，在未來3年預計可以實現40億美元的碳化硅收入?！?/span>

安森美是全球汽車半導體龍頭，聚焦智慧電源及智慧感知業(yè)務。安森美前身為1999年摩托羅拉分拆的半導體部門，2000年美股上市，后陸續(xù)收購眾多半導體制造商，在全球建立生產基地和設計工廠。2021年，公司收購碳化硅廠商GTAT，增強碳化硅領域布局實力。2021財年，公司實現營收67.4億美元，同比增長28.13%；歸母凈利潤10.1億美元，同比增長339.13%。

安森美戰(zhàn)略轉型：all in碳化硅，彰顯汽車野心。安森美收入包含電源方案部（功率）、先進方案部（模擬、混合信號、邏輯）及智能感知部（CIS），下游涵蓋汽車、工業(yè)、通訊、消費等。2020年12月，El-Khoury出任公司新CEO；2021年8月，公司變更品牌名（去“半導體”化）及LOGO，彰顯對于汽車下游的重視。碳化硅作為遠期核心增長點，在公司營收比重不斷提升。而IDM轉Fab-liter模式，也切實推動公司盈利能力改善。

日本SiC材料廠家：翻5倍！

英飛凌的 SiC 制造能力將增加十倍

與此同時，2023年1月12日，Resonac與英飛凌簽訂了新的多年合同。

與英飛凌達成的新的多年期協(xié)議擴展了 2021 年簽署的現有 150mm SiC 晶圓協(xié)議，并且是英飛凌計劃在本十年末擴大其 SiC 制造能力以達到 30% 的市場份額計劃的一部分。

到 2027 年，英飛凌的 SiC 制造能力將增加十倍。居林的新工廠計劃于 2024 年投產，該公司已經為全球 3,600 多家客戶提供 SiC 半導體。

作為合作的一部分，英飛凌將為 Resonac 提供與 SiC 材料技術相關的知識產權。英飛凌憑借這一專長于 2018 年收購了材料公司 Silectra。

高技術門檻導致第三代半導體材料市場以日美歐寡頭壟占，國內企業(yè)在SiC襯底方面以4英寸為主。目前，國內已經開發(fā)出了6英寸導電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底，山東天岳公司、北京天科合達公司和河北同光晶體公司分別與山東大學、中科院物理所和中科院半導體所進行技術合作與轉化，在SiC單晶襯底技術上形成自主技術體系。國內目前已實現4英寸襯底的量產；同時山東天岳、天科合達、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā)；中電科裝備已成功研制出6英寸半絕緣襯底。

國內碳化硅襯底競爭對比